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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会, 08/2011
Organizer: 中国半导体行业协会; CLC: TN386.1;   本文介绍了薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的器件结构,并对设计的器件工艺和性能进行仿真分析,结果表明:对器件形貌进行SEM电镜分析可知,器件场氧部分形貌正常,场氧化减薄后剩余顶层硅部分均一性较好,保持在0.36... 
击穿电压 | 产品结构 | 横向扩散金属氧化物半导体器件 | 薄膜体硅材料
Conference Proceeding
功能材料与器件学报, ISSN 1007-4252, 2012, Volume 18, Issue 1, pp. 17 - 22
TN34; 本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV.研究发现,注入剂量(9*13... 
Journal Article
Xi you jin shu cai liao yu gong cheng, ISSN 1002-185X, 2009, Volume 38, Issue 2, pp. 189 - 192
TG1;... 
Journal Article
Xi you jin shu cai liao yu gong cheng, ISSN 1002-185X, 2011, Volume 40, Issue 8, pp. 1344 - 1347
TB43;... 
Journal Article
半导体技术, ISSN 1003-353X, 2012, Volume 37, Issue 4, pp. 254 - 257
TN386; 针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理.通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性.在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)... 
Journal Article
Xi you jin shu cai liao yu gong cheng, ISSN 1002-185X, 2006, Volume 35, Issue 8, pp. 1192 - 1194
TN304; 利用超高真空电子束蒸发法制备了可替代SiO2作为栅介质的HfAlO膜.薄膜的化学组成为(HfO2)(Al2O3)2,900℃退火处理后仍然呈现非晶状态,而且表面平滑.介电常数为12.7,等效氧化物厚度2 nm,固定电荷密度4×1012cm-2,2 C栅偏压下漏电流为0.04 m... 
Journal Article
2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会, 08/2011
Organizer: 中国半导体行业协会; CLC: TN407;   本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm.顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5 kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2... 
抗静电特性 | 性能仿真 | 集成电路 | 体硅技术
Conference Proceeding
Journal of semiconductors, ISSN 1674-4926, 2012, Volume 33, Issue 5, pp. 44 - 47
A 680 V LDMOS on a thin SOI with an improved field oxide(FOX) and dual field plate was studied experimentally.The FOX structure was formed by an... 
横向电场 | 氧化层 | LDMOS器件 | 层结构 | 改良 | CMOS兼容 | SOI晶圆 | 场板
Journal Article
功能材料与器件学报, ISSN 1007-4252, 2010, Volume 16, Issue 2, pp. 109 - 113
TB34; 本文采用反转胶lift-off工艺,对比分析了金属淀积方式、光刻胶的选择及光刻胶烘干时间对金属剥离效果的影响,制备出最小线宽4μm,最小间距4μm,厚度为1μm,线宽误差小于0.5μm的金属线条,并最终实现具有三层金属的堆栈电感,经光学显微镜和台阶仪观测表明,器件外观良好成品率高. 
Journal Article
Bàndăotĭ xuébào, ISSN 0253-4177, 2008, Volume 29, Issue 3, pp. 447 - 457
TN386;... 
Journal Article
半导体技术, ISSN 1003-353X, 2006, Volume 31, Issue 3, pp. 209 - 211
TN304.055;... 
Journal Article
Ya dian yu sheng guang, ISSN 1004-2474, 2004, Volume 26, Issue 6, pp. 494 - 502
TN3;... 
Journal Article
Ya dian yu sheng guang, ISSN 1004-2474, 2005, Volume 27, Issue 3, pp. 328 - 334
O459; 采用CH4+Ar混合等离子体对p-Si(100)进行剂量为5.0×1017cm-2,能量分别为40 keV及80 keV的碳离子注入,靶温控制在700℃左右;注入后将样品在1 250℃的氩气中退火5... 
Journal Article
功能材料与器件学报, ISSN 1007-4252, 2005, Volume 11, Issue 3, pp. 333 - 337
TN386; 利用掩膜注氧隔离技术(Masked SIMOX)制备图形化SOI衬底,采用与常规1μm SOI CMOS工艺兼容的工艺流程,制备了图形化SOI LDMOS... 
Journal Article
半导体技术, ISSN 1003-353X, 2006, Volume 31, Issue 7, pp. 523 - 525
TN386; 对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接.采用与常规1μm SOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOX... 
Journal Article
半导体技术, ISSN 1003-353X, 2006, Volume 31, Issue 6, pp. 444 - 459
TN4; 针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI(PSOI)横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)进行了结构优化分析,发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOI LDMOSFET具有最大的击穿电压和较低的开态电阻.PSOI结构的RESURF条件为Nd·tsi=1.8~3×101... 
Journal Article
Wei chu li ji, ISSN 1002-2279, 2005, Volume 26, Issue 4, pp. 1 - 2
TN386; 本文提出了一种在沟道下方埋氧层中开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET新结构.工艺和性能分析表明,它可抑制SOI结构的浮体效应和自加热效应,具有低的泄漏电流,以及高的电流驱动能力.这种结构具有提高SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力. 
Journal Article
Hé jìshū, ISSN 0253-3219, 2007, Volume 30, Issue 8, pp. 675 - 678
TN386%TN304.055; 本文采用MIS电容结构,结合10keV X射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能.研究结果表明,在0-30 kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2... 
Journal Article
温州师范学院学报, ISSN 1006-0375, 2006, Volume 27, Issue 2, pp. 20 - 24
TN386; 设计了一种新型图形化SOI(pattemed-Silicon-On-Insulator)LDMOSFET(1ateral doublediffused... 
Journal Article
第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会, 10/2001
Organizer: 中国电子学会; CLC: TN307; TN325.2; TN305.3;... 
电学表征 | 离子束注入隔离氧化层 | 电容结构 | SIS结构 | SOI圆片
Conference Proceeding
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