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Guo fang ke ji da xue xue bao, ISSN 1001-2486, 2018, Volume 40, Issue 6, pp. 165 - 170
TN453; 针对航空航天电子系统对高性能模数转换器的需求,采用0.13μm标准互补金属氧化物半导体工艺,设计可以在极端温度和空间辐射环境中稳定可靠工作的12位分辨率、50... 
Journal Article
Ya dian yu sheng guang, ISSN 1004-2474, 2017, Volume 39, Issue 6, pp. 920 - 923
TN7; 介绍了一种低功耗高速垂直腔表面发射激光器(VCSEL)驱动器的设计.该芯片设计使用国产0.13 μm SOI CMOS工艺,能提供6~8 mA可调调制电流及4~7... 
Journal Article
2004
博士: 材料物理与化学; TN47;TN304;... 
Dissertation
2001
硕士: 凝聚态物理; O484.41;... 
Dissertation
2000
硕士: 机械制造及其自动化; TG731; 金刚石圆锯是石材锯切加工中应用最为广泛的工具.针对目前使用中的普通结构锯片存在径向锯切力大、排屑冷却困难而造成锯片体寿命低、锯切质量差、节块磨损严重等问题,该课题设计开发了新型直槽式节块金刚石圆锯片,并对新型节块锯片的锯切性能进行比较实验和分析研究. 
Dissertation
by 王俊 and 王磊 and 董业民 and 邹欣 and 邵丽 and 李文军 and 杨华岳
Wuli xuebao, ISSN 1000-3290, 2008, Volume 57, Issue 7, pp. 4492 - 4496
利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30 V的双扩散漏端MOS晶体管(double diffused drain... 
Journal Article
by 王俊 and 董业民 and 邹欣 and 邵丽 and 李文军 and 杨华岳
半导体技术, ISSN 1003-353X, 2008, Volume 33, Issue 4, pp. 316 - 319
TN433; 利用0.15 μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30... 
Journal Article
Bàndăotĭ xuébào, ISSN 0253-4177, 2005, Volume 26, Issue 6, pp. 1187 - 1190
TN304.1+2; 利用低剂量、低能量的SIMOX(separation by implanted oxygen)图形化技术实现了深亚微米间隔埋氧层的制备.在二氧化硅掩膜尺寸为172nm的情况下,可以得到间隔为180nm的埋氧层.通过TEM(transmission electron... 
Journal Article
功能材料, ISSN 1001-9731, 2002, Volume 33, Issue 2, pp. 209 - 211
O472.3;... 
Journal Article
by 林羲 and 董业民 and 何平 and 陈猛 and 王曦 and 田立林 and 李志坚
Qīnghuá daxué xuébào (Ziran kuxué pan), ISSN 1000-0054, 2003, Volume 43, Issue 7, pp. 1005 - 1008
TN386; 严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点.绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应.为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成功地在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI... 
Journal Article
功能材料, ISSN 1001-9731, 2000, Volume 31, Issue 5, pp. 471 - 472
TQ586.1;... 
Journal Article
by 林羲 and 何平 and 田立林 and 李志坚 and 董业民 and 陈猛 and 王曦
Bàndăotĭ xuébào, ISSN 0253-4177, 2003, Volume 24, Issue 2, pp. 117 - 121
TN386;... 
Journal Article
磁性材料及器件, ISSN 1001-3830, 2000, Volume 31, Issue 2, pp. 5 - 31
TGL32.2+71;... 
Journal Article
全国薄膜学术讨论会, 10/1999
Organizer: 中国真空学会; 中国电子学会; 中国光学学会; 中国物理学会; 中国机械工程学会; 中国仪器仪表学会; 中国材料研究会; CLC: O484.41 
晶粒 | SiO<,2> | 镶嵌 | 半导体 | 光致发光 | | 薄膜 | 二氧化硅
Conference Proceeding
by 陈静 and 王湘 and 董业民 and 郑志宏 and 陈猛 and 王曦
功能材料与器件学报, ISSN 1007-4252, 2002, Volume 8, Issue 2, pp. 99 - 102
TN305.3;... 
Journal Article
功能材料, ISSN 1001-9731, 2001, Volume 32, Issue 6, pp. 670 - 672
O484.4%TN383;... 
Journal Article
by 陈静 and 陈猛 and 王湘 and 董业民 and 郑志宏 and 张峰 and 李炜 and 王曦
第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会, 10/2001
Organizer: 中国电子学会; CLC: TN305.3;... 
离子注入机 | 低剂量注水 | SOI结构 | 注入能量
Conference Proceeding
第四届中国功能材料及其应用学术会议, 10/2001
Organizer: 中国仪器仪表学会; CLC: TN304.055; TB34;... 
缺陷 | 光致发光 | 发光材料 | Ge-SiO<,2>薄膜 | 发光中心 | 磁控溅射
Conference Proceeding
Bàndăotĭ xuébào, ISSN 0253-4177, 2004, Volume 25, Issue 7, pp. 814 - 818
TN304.05; 采用氮氧共注入方法制备了新型的SIMON(separation by implanted oxygen and... 
Journal Article
Ke xue tong bao, ISSN 0023-074X, 2001, Volume 46, Issue 16, pp. 1342 - 1344
TN2; 采用双离子束共溅射技术,通过对由Al,Si和SiO2组成的复合靶的溅射制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜(AlSiO).其中铝和硅在薄膜中的含量可通过改变靶面上铝和硅所占的表面积来调节.在所有的样品中,在可见光范围均观察到仅有一个位于510... 
Journal Article
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