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军民两用技术与产品, ISSN 1009-8119, 2017, Issue 3, pp. 34 - 34
受电场作用能够引起金属材料中的原子迁移速率显著加快现象的启发,中国科学院金属研究所的研究人员提出了利用涡流电迁移加速金属表面合金化的思路,以达到对大型构件表面进行超高速可控渗铝的目的。实验表明,对试样通入脉冲电流,利用电流自身的焦耳热及表层涡流电迁移效应, 
电迁移效应 | 技术 | 表面合金化 | 超临界水氧化 | 超高速 | 中科院 | 渗铝 | 中国科学院金属研究所
Journal Article
摘要 隨著積體電路的發展元件尺寸不斷縮小,電遷移效應已造成內層導線缺陷,對導線可靠度造成影響。於未來隨著電子產品輕、薄、短、小化發展,覆晶(flip chip)封裝勢必成為市場主流,此時通過銲點的電流密度可能高達104... 
電遷移效應 | electromigration | solder
Dissertation
由於銲錫凸塊的大小隨著趨勢會變得越來越小,電遷移破壞(electromigration failure)將是一個很重要的可靠性問題。3D -... 
錫銀銲錫 | Electromigration | 銲錫厚度 | 電遷移效應 | Solder Thickness | Sn2.3Ag Solder
Dissertation
軟銲是工業界常用的連結技術之一,其在電子產品的生產上更是扮演重要的一環。近年來因為無鉛銲料的政策、各種封裝的技術如覆晶、Through Silicon Via (TSV)等技術的發展,軟銲的重要性更是有增無減。除了普遍使用的無鉛銲料... 
無鉛銲料 | 界面反應 | 電遷移效應 | Lead-free solder | Interfacial reaction | Electromigration effect
Dissertation
本論文主要描述了兩大部分。第一部分為探討薄膜電晶體液晶顯示器(Thin-film transistor liquid-crysral... 
electromigrarion phenomenon | corrosion defect of Aluminum | 電遷移效應 | Gate Pad鋁金屬腐蝕 | 孔蝕 | 薄膜電晶體液晶顯示器 | Thin-film transistor liquid-crysral display | voiding corrosion
Dissertation
职业技术, ISSN 1672-0601, 2013, Issue 2, pp. 88 - 89
本文分析了混合集成电路版图中对电源功耗失效的重要影响因素,针对混合集成电路芯片的特点提出了针对性的压降效应和电迁移的分析方法以及解决方案。 
压降效应 | 电迁移 | Voltagestrom
Journal Article
半导体学报, ISSN 1674-4926, 2009, Issue 4, pp. 25 - 29
Unpassivated/passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) were exposed to 1.25 MeV 60Co γ-rays at a dose of 1 Mrad(Si). The saturation drain... 
高电子迁移率晶体管 | 漏极电流 | 直流 | 射线照射 | HEMT器件 | 性能 | 辐照效应 | AlGaN
Journal Article
湖南中学物理, ISSN 1673-1875, 2010, Issue 1, pp. 24 - 25
<正>黑格尔说过:"假如一个人能看出显而易见的差异,例如,能区别一支笔与一个骆驼,则我们不会说这个人有什么了不起的聪明。同样另一方面,一个人能比较两个近似的东西,如橡树与槐树,或寺院与教学,而知其相似,我们也不能说他有很高的比较能力。我们所要求的是要看出异中之同或同中之 
同或 | 电势能 | 空间积累效应 | 动量定理 | 复习课 | 一支笔 | 人能 | 思维方法 | 概念教学 | 知识迁移能力
Journal Article
本論文所要研究的是VIA上的電遷移,在傳統結構多層金屬線上電遷移的 問題上,由於元件縮小後連接線變得很窄但同時VIA即需變得更小,使的VIA 內電流密度增加尤以在VIA與連接線轉角處為最大,由於以往以blank CVD 方式將金屬鎢填充VIA,剛好使的金屬鋁與鎢間界面不連續的問題同時與... 
電流擁擠效應 | crowding | 電遷移 | 界面 | plug | electromigration | via
Dissertation
中文摘要... I 英文摘要... II 總目錄...IV 表目錄...VI 圖目錄...VII 第壹章 簡介...1 1-1 電子構裝簡介與覆晶接合技術...1 1-2 界面反應...4 1-2-1 Cu/Sn界面反應...4 1-2-2 Ni/Sn界面反應...6 1-2-3 Cu/Sn/Ni界面反應...6... 
Electromigration | Cu pad | Wavelike | 電流擁擠效應 | 銅銲墊 | 電遷移 | Current crowding | 波浪狀
Dissertation
To mitigate the electromigration on via was investigated in this work. First, I improved the increasing current crowding effect with the device scaling on... 
電流擁擠效應 | crowding | 電機工程 | 電遷移 | 界面 | plug | electromigration | ELECTRICAL-ENGINEERING | via
Dissertation
高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor),乃一極具研究價值之高 速元件。由於其特殊之調變參雜(Modulation Doped)異質接面結構, 在正常操作情形 下, 此一接面附近形成一極薄( 約100A) 之二維電子雲。由於此一二維電子雲所在之 低能帶材料( 砷化鎵... 
高電子遷移率電晶 | MESFET | HIGH-ELECTRON-MOBILITY-TRANSIS | MOBILITY | BACKGATING-EFFECT | MODULATION-DOPED | 調變參雜 | 金半場效電晶体 | 遷移率 | DRIFT-VELOCITY | 柵極長度 | 漂移速度 | 背柵極效應 | GATE-LENGTH
Dissertation
The main purpose of this research thesis is to explore the of the thermodynamics and transport characteristics of polyelectrolyte solutions. Generally, the... 
Viscosity | 黏度 | polyelectrolyte | 聚電解質 | thermodynamics behavior | MATERIALS-SCIENCE | transport behavior | 熱力行為 | core shell model | 電導度 | Thermodynamics | 聚集現象 | 材料科學 | 物理 | 遷移行為 | conductivity | 球殼理論 | coagulation phenomena | PHYSICS | Transport | 不對稱效應 | 電泳效應
Dissertation
本論文針對高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistors, HEMTs)與絕緣層上矽場效電晶體(Silicon-On-Insulation Field Effect Transistors, SOI FET)... 
high electronic mobility transistor | 短通道效應 | 高電子遷移率電晶體 | short channel effect | 本體擊穿 | subthreshold current effect | silicon-on-insulation | 絕緣層上矽 | 次臨界電流效應 | bulk punch through
Dissertation
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